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1N5234B-T
Diodes(美台) 分立器件

1N5234B 系列 500 mW 6.2 V 200 mA 通孔 外延 齐纳二极管 - DO-35

Features

● 500mW Power Dissipation

● High Stability

● Surface Mount Equivalents Available

● Hermetic Package

● VZ - Tolerance ±5%

● Lead Free Finish, RoHS Compliant Note 2


得捷:
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35


贸泽:
Zener Diodes 500MW 6.2V


艾睿:
Diode Zener Single 6.2V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R


富昌:
1N5234B 系列 500 mW 6.2 V 200 mA 通孔 外延 齐纳二极管 - DO-35


1N5234B-T中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 6.20 V

容差 ±5 %

额定功率 500 mW

正向电压 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 20 mA

稳压值 6.2 V

正向电压Max 1.1V @200mA

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-35-2

外形尺寸

长度 4 mm

宽度 2 mm

高度 2 mm

封装 DO-35-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

1N5234B-T引脚图与封装图
1N5234B-T引脚图

1N5234B-T引脚图

1N5234B-T封装图

1N5234B-T封装图

1N5234B-T封装焊盘图

1N5234B-T封装焊盘图

在线购买1N5234B-T
型号 制造商 描述 购买
1N5234B-T Diodes 美台 1N5234B 系列 500 mW 6.2 V 200 mA 通孔 外延 齐纳二极管 - DO-35 搜索库存
替代型号1N5234B-T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1N5234B-T

品牌: Diodes 美台

封装: DO 6.2V

当前型号

1N5234B 系列 500 mW 6.2 V 200 mA 通孔 外延 齐纳二极管 - DO-35

当前型号

型号: 1N5234B-TR

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