PUMB9、PUMB9,115对比区别

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型号 PUMB9 PUMB9,115

描述 Small Signal Bipolar TransistorTSSOP PNP 50V 100mA

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 6

封装 - SOT-363-6

极性 - PNP, P-Channel

耗散功率 - 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V

集电极最大允许电流 - 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @5mA, 5V

额定功率(Max) - 300 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW

高度 - 1 mm

封装 - SOT-363-6

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - -