PUMB9,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PUMB9,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PUMB9,115引脚图与封装图
暂无图片
替代型号PUMB9,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PUMB9,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： 6-TSSOP PNP 300mW | 当前型号 | TSSOP PNP 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： PUMB9 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor | PUMB9,115和PUMB9的区别 |