MBR2560CT、VT3060G-E3/4W、MBR25H60CT-E3/45对比区别

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型号 MBR2560CT VT3060G-E3/4W MBR25H60CT-E3/45

描述 SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky RectifierDiode Schottky 60V 30A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册 ---

制造商 Galaxy Semi-Conductor Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管阵列二极管阵列

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-220-3 TO-220-3

正向电压 - 730mV @15A 700mV @15A

正向电流 - - 30 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） - - 150 A

正向电压(Max) - - 700mV @15A

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - 65 ℃

封装 - TO-220-3 TO-220-3

长度 - - 10.54 mm

宽度 - - 4.7 mm

高度 - - 8.89 mm

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 Lead Free

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃