MBR25H60CT-E3/45中文资料参数规格
技术参数
正向电压 700mV @15A
正向电流 30 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 150 A
正向电压Max 700mV @15A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.54 mm
宽度 4.7 mm
高度 8.89 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MBR25H60CT-E3/45引脚图与封装图
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在线购买MBR25H60CT-E3/45
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBR25H60CT-E3/45 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Schottky 60V 30A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube | 搜索库存 |
替代型号MBR25H60CT-E3/45
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBR25H60CT-E3/45 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-220-3 | 当前型号 | Diode Schottky 60V 30A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube | 当前型号 |
| 型号： VT3060G-E3/4W 品牌： 威世 封装： TO-220AB | 功能相似 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | MBR25H60CT-E3/45和VT3060G-E3/4W的区别 |
| 型号： MBR2560CT 品牌： Galaxy Semi-Conductor 封装： | 功能相似 | SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER | MBR25H60CT-E3/45和MBR2560CT的区别 |