MMRF1008HSR5、MRF6V12250HSR3、MRF6V12250HSR5对比区别

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型号 MMRF1008HSR5 MRF6V12250HSR3 MRF6V12250HSR5

描述 RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215MHz 275W 50VPulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215MHz, 275W, 50VRF Power Transistor,960 to 1215MHz, 275W, Typ Gain in dB is 20.3 @ 1030MHz, 50V, LDMOS, SOT1793

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管MOS管

引脚数 3 3 3

封装 NI-780S NI-780S NI-780S

安装方式 - - Surface Mount

频率 1.03 GHz 1.03 GHz 1.03 GHz

输出功率 275 W 275 W 275 W

增益 20.3 dB 20.3 dB 20.3 dB

测试电流 100 mA 100 mA 100 mA

输入电容(Ciss) 695pF @50V(Vds) - -

工作温度(Max) 150 ℃ 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 100 V 100 V 100 V

电源电压 50 V - 50 V

额定电流 - - 10 µA

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

封装 NI-780S NI-780S NI-780S

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -65℃ ~ 225℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99