DS1230W-150-IND、DS1230W-150+、DS1230W-150对比区别

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型号 DS1230W-150-IND DS1230W-150+ DS1230W-150

描述 Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 150ns, CMOS, 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-28Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, PDIP28, 0.740 INCH, DIP-28

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片

封装 DIP DIP-28 DIP

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 28 -

封装 DIP DIP-28 DIP

宽度 - 18.29 mm -

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

时钟频率 - 150 GHz -

存取时间 - 150 ns -

内存容量 - 256000 B -

电源电压 - 3V ~ 3.6V -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 3 V -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -