DS1230W-150+
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
电子元器件分类
DS1230W-150+中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 150 GHz
存取时间 150 ns
内存容量 256000 B
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 DIP-28
外形尺寸
宽度 18.29 mm
封装 DIP-28
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DS1230W-150+引脚图与封装图 
DS1230W-150+引脚图
DS1230W-150+封装图
DS1230W-150+封装焊盘图
在线购买DS1230W-150+
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS1230W-150+ | Maxim Integrated 美信 | Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28 | 搜索库存 |
替代型号DS1230W-150+
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS1230W-150+ 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： DIP 256000B 3.3V 150ns 28Pin | 当前型号 | Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 150ns, CMOS, PDIP28, 0.74INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-28 | 当前型号 |
| 型号： DS1230W-150 品牌： 美信 封装： DIP 256000B 3.3V 150ns 28Pin | 完全替代 | IC NVSRAM 256Kbit 150NS 28DIP | DS1230W-150+和DS1230W-150的区别 |
| 型号： DS1230W-150-IND 品牌： 美信 封装： | 功能相似 | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 150ns, CMOS, 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-28 | DS1230W-150+和DS1230W-150-IND的区别 |