FGH30N6S2D、IRG4PF50WDPBF、STGP8NC60KD对比区别

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型号 FGH30N6S2D IRG4PF50WDPBF STGP8NC60KD

描述 600V ，开关电源II系列N沟道IGBT与反并联二极管StealthTM 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM DiodeINFINEON  IRG4PF50WDPBF  单晶体管, IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

额定功率 - 200 W -

针脚数 - 3 3

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 167000 mW 200 W 65 W

上升时间 17.0 ns 52.0 ns -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 900 V 600 V

反向恢复时间 46 ns 90 ns 23.5 ns

额定功率(Max) 167 W 200 W 65 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 167000 mW 200000 mW 65000 mW

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 45.0 A - -

长度 - 15.9 mm -

宽度 - 5.3 mm -

高度 20.82 mm 20.3 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99