FDP51N25、STP50NF25对比区别
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP51N25 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 250 V, 0.048 ohm, 10 V, 5 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - 1
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.048 Ω 0.055 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 320 W 160 W
阈值电压 5 V 3 V
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V
连续漏极电流(Ids) 51.0 A 22.0 A
上升时间 465 ns 26 ns
输入电容(Ciss) 3410pF @25V(Vds) 2670pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 320 W 160 W
下降时间 130 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 320000 mW 160W (Tc)
漏源击穿电压 250 V -
长度 10.67 mm 10.4 mm
宽度 4.83 mm 4.6 mm
高度 9.4 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Rail Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 -
香港进出口证 NLR -