FDP51N25
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP51N25中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.048 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 320 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
连续漏极电流Ids 51.0 A
上升时间 465 ns
输入电容Ciss 3410pF @25VVds
额定功率Max 320 W
下降时间 130 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 320000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
FDP51N25引脚图与封装图
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在线购买FDP51N25
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP51N25 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP51N25 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 250 V, 0.048 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号FDP51N25
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP51N25 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 250V 51A 60mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP51N25 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 250 V, 0.048 ohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： STP50NF25 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 250V 22A | 功能相似 | N 通道 STripFET™，STMicroelectronics | FDP51N25和STP50NF25的区别 |