VNB35N0713TR、VNB35N07TR-E、VNV35N0713TR对比区别

高亮显示差异参数

型号 VNB35N0713TR VNB35N07TR-E VNV35N0713TR

描述 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAKSTMICROELECTRONICS  VNB35N07TR-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 VMOSFET OMNIFET 70V 35A POWERSO10

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器MOS管FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 PowerSO-12

输出接口数 1 1 1

输出电流(Max) 25 A 25 A 25 A

输出电流 - 35 A 25 A

耗散功率 - 125 W 125000 mW

供电电流 - 0.25 mA -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.028 Ω -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) - 80 V -

连续漏极电流(Ids) - 18.0 A -

输入电压(Max) - 18 V -

输出电流(Min) - 25 A -

输入数 - 1 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

耗散功率(Max) - 125000 mW -

输入电压 - 18 V -

封装 TO-263-3 TO-263-3 PowerSO-12

长度 - 10.2 mm -

宽度 - 9.15 mm -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -