MJ21193、MJ21193G、BD246C对比区别

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型号 MJ21193 MJ21193G BD246C

描述 硅功率晶体管 Silicon Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  MJ21193G  单晶体管 双极, 音频, PNP, 250 V, 4 MHz, 250 W, 16 A, 75 hFEPNP硅功率晶体管 PNP SILICON POWER TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Bourns J.W. Miller (伯恩斯)

分类 双极性晶体管双极性晶体管电流滤波器件

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 TO-3 TO-204-2 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) -250 V -250 V -

额定电流 -16.0 A -16.0 A -

极性 Dual P-Channel PNP, P-Channel -

耗散功率 250 W 250 W -

击穿电压(集电极-发射极) -250 V 250 V -

集电极最大允许电流 16A 16A -

频率 - 4 MHz -

针脚数 - 3 -

热阻 - 0.7℃/W (RθJC) -

最小电流放大倍数(hFE) - 25 @8A, 5V -

最大电流放大倍数(hFE) - 75 -

额定功率(Max) - 250 W -

直流电流增益(hFE) - 75 -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 250000 mW -

封装 TO-3 TO-204-2 -

长度 - 39.37 mm -

宽度 - 26.67 mm -

高度 - 8.51 mm -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -