6MBI75VA-120-50、CM100TU-24F、6MBI100VA-120-50对比区别

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型号 6MBI75VA-120-50 CM100TU-24F 6MBI100VA-120-50

描述 FUJI ELECTRIC  6MBI75VA-120-50  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, ModulePOWEREX CM100TU-24F IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 100A, 1.2kV, 500W, 1.2kV, ModuleIGBT 模块，6 包，Fuji Electric V - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT 注 模块内每晶体的最大集电极电流 (Ic) 值是额定的。 IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

数据手册 ---

制造商 FUJI (富士电机) Powerex FUJI (富士电机)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Chassis PCB

引脚数 28 17 28

封装 Module Module M636

针脚数 28 - -

耗散功率 385 W 500 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 385 W - 520 W

额定电流 - 100 A -

极性 - N-Channel N-Channel

长度 107.5 mm - 107.5 mm

宽度 45 mm - 45 mm

高度 17 mm - 17 mm

封装 Module Module M636

产品生命周期 Active Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -