锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

6MBI100VA-120-50

6MBI100VA-120-50

数据手册.pdf
FUJI 富士电机 分立器件

IGBT 模块,6 包,Fuji Electric V - 系列,第 6 代现场挡块 U/U4 系列,第 5 代现场挡块 S - 系列,第 4 代 NPT 注 模块内每晶体的最大集电极电流 Ic 值是额定的。 IGBT 分立件和模块,Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 模块,6 包,Fuji Electric

V - 系列,第 6 代现场挡块

U/U4 系列,第 5 代现场挡块

S - 系列,第 4 代 NPT

### 注

模块内每晶体的最大集电极电流 Ic 值是额定的。


欧时:
Fuji Electric 6MBi100VA-120-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=1200 V, 28引脚 M636封装


6MBI100VA-120-50中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 520 W

封装参数

安装方式 PCB

引脚数 28

封装 M636

外形尺寸

长度 107.5 mm

宽度 45 mm

高度 17 mm

封装 M636

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

6MBI100VA-120-50引脚图与封装图
暂无图片
在线购买6MBI100VA-120-50
型号 制造商 描述 购买
6MBI100VA-120-50 FUJI 富士电机 IGBT 模块,6 包,Fuji Electric V - 系列,第 6 代现场挡块 U/U4 系列,第 5 代现场挡块 S - 系列,第 4 代 NPT 注 模块内每晶体的最大集电极电流 Ic 值是额定的。 IGBT 分立件和模块,Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 搜索库存