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SMCJ30AHE3/57T、SMCJ30AHE3/9AT、SMCJLCE30AE3/TR13对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMCJ30AHE3/57T SMCJ30AHE3/9AT SMCJLCE30AE3/TR13

描述 Diode TVS Single Uni-Dir 30V 1.5kW 2Pin SMC T/RDiode TVS Single Uni-Dir 30V 1.5kW 2Pin SMC T/RTvs Diode 30vwm 48.4vc Do214ab

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DO-214AB DO-214AB DO-214AB

工作电压 30 V 30 V -

击穿电压 33.3 V 33.3 V -

钳位电压 48.4 V 48.4 V -

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 33.3 V 33.3 V 33.3 V

耗散功率 1.5 kW - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

封装 DO-214AB DO-214AB DO-214AB

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free