SMCJLCE30AE3/TR13
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
主动器件
SMCJLCE30AE3/TR13中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 33.3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AB
外形尺寸
封装 DO-214AB
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMCJLCE30AE3/TR13引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMCJLCE30AE3/TR13 | Microsemi 美高森美 | Tvs Diode 30vwm 48.4vc Do214ab | 搜索库存 |
替代型号SMCJLCE30AE3/TR13
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMCJLCE30AE3/TR13 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | Tvs Diode 30vwm 48.4vc Do214ab | 当前型号 |
| 型号： SMCJ30AE3/TR13 品牌： 美高森美 封装： SMCJ | 完全替代 | SMCJ 30V 1500W | SMCJLCE30AE3/TR13和SMCJ30AE3/TR13的区别 |
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| 型号： SMCJ30A-HR 品牌： 力特 封装： DO-214 | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 30V 1.5kW 2Pin SMC T/R | SMCJLCE30AE3/TR13和SMCJ30A-HR的区别 |