DS1225AD-200IND、DS1225Y-200IND+、DS1225AD-200IND+对比区别

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型号 DS1225AD-200IND DS1225Y-200IND+ DS1225AD-200IND+

描述 IC NVSRAM 64Kbit 200NS 28DIPNVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28Pin EDIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AD-200IND+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 - 28

封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 200 GHz - 200 GHz

存取时间 200 ns 200 ns 200 ns

内存容量 8000 B - 8000 B

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

针脚数 - - 28

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

长度 39.12 mm - -

宽度 18.29 mm - 18.29 mm

高度 9.4 mm - -

封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free