DS1225Y-200IND+

Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28Pin EDIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 64Kb 8K x 8 Parallel 200ns 28-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP

贸泽:
NVRAM 64K Nonvolatile SRAM

DS1225Y-200IND+中文资料参数规格

技术参数

存取时间 200 ns

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-28

外形尺寸

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

DS1225Y-200IND+引脚图与封装图

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DS1225Y-200IND+	Maxim Integrated 美信	NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28Pin EDIP	搜索库存

替代型号DS1225Y-200IND+

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型号： DS1225Y-200IND+ 品牌： Maxim Integrated 美信封装： MOD	当前型号	NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28Pin EDIP	当前型号
型号： DS1225AD-200IND 品牌：美信封装： DIP 8000B 5V 200ns 28Pin	完全替代	IC NVSRAM 64Kbit 200NS 28DIP	DS1225Y-200IND+和DS1225AD-200IND的区别
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