IRF8714PBF、STS12NF30L、SI4420BDY-T1-E3对比区别

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型号 IRF8714PBF STS12NF30L SI4420BDY-T1-E3

描述 INFINEON  IRF8714PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 8.7 mohm, 10 V, 1.8 VSTMICROELECTRONICS  STS12NF30L  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.008 ohm, 10 V, 1 VVISHAY  SI4420BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 12.0 A -

通道数 1 1 -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0087 Ω 0.008 Ω 0.007 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 1.4 W

阈值电压 1.8 V 1 V 3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30.0 V 30 V

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) 14A 12.0 A -

上升时间 9.9 ns 90 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 1020pF @15V(Vds) 2400pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -

下降时间 5 ns 35 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW 1400 mW

额定功率 2.5 W - -

正向电压 - - 750 mV

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.25 mm 1.55 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 Silicon - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs -

包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15