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SI4420BDY-T1-E3

SI4420BDY-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI4420BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8

**Features:

**

* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition

* TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated

* Ultra Low On-Resistance for Increased Battery Life

* New PowerPAK® Package - Low Thermal Resistance, RthJC - Low 1.07 mm Profile

* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

**Applications:

**

* Load/Power Switching in Portable Devices


贸泽:
MOSFET 30V 13.5A 0.0085Ohm


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
单通道 N 沟道 30 V 0.0085 ohm 表面贴装 功率 MOSFET - SOIC-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4420BDY-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 9.5 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 3 V


SI4420BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

正向电压 750 mV

漏源极电阻 0.007 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.4 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 11 ns

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI4420BDY-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI4420BDY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI4420BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI4420BDY-T1-E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: SOIC N-Channel

当前型号

VISHAY  SI4420BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 9.5A, SO-8

当前型号

型号: IRF8714PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 30V 14A

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