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P4KE82A-G、P4KE82A-T、P4KE82AE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P4KE82A-G P4KE82A-T P4KE82AE3

描述 DO-41 70.1V 400WTrans Voltage Suppressor Diode, 400W, 70.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 70.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Comchip Technology (上华科技) Sensitron Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 2 - -

封装 DO-41 DO-41 DO-41

钳位电压 113 V - -

最大反向电压(Vrrm) 70.1V - -

测试电流 1 mA - -

脉冲峰值功率 400 W - -

最小反向击穿电压 77.9 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

工作结温 -55℃ ~ 150℃ - -

封装 DO-41 DO-41 DO-41

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -