P4KE82A-G
数据手册.pdf
Comchip Technology
上华科技
分立器件
P4KE82A-G中文资料参数规格
技术参数
钳位电压 113 V
最大反向电压（Vrrm） 70.1V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 400 W
最小反向击穿电压 77.9 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-41
外形尺寸
封装 DO-41
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
P4KE82A-G引脚图与封装图 
P4KE82A-G引脚图
P4KE82A-G封装图
P4KE82A-G封装焊盘图
替代型号P4KE82A-G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： P4KE82A-G 品牌： Comchip Technology 上华科技 封装： DO-41 | 当前型号 | DO-41 70.1V 400W | 当前型号 |
| 型号： P4KE82A 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | 瞬态吸收齐纳 TRANSIENT ABSORPTION ZENER | P4KE82A-G和P4KE82A的区别 |
| 型号： P4KE82A-E3/4 品牌： 威世 封装： | 功能相似 | ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 625-P4KE82A-E3 | P4KE82A-G和P4KE82A-E3/4的区别 |
| 型号： P4KE82A-T 品牌： Sensitron Semiconductor 封装： | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 70.1V VRWM, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2 | P4KE82A-G和P4KE82A-T的区别 |