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TS321IDBVR、TS321IDR、TS321AILT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TS321IDBVR TS321IDR TS321AILT

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TS321IDBVR  运算放大器, 单路, 800 kHz, 1个放大器, 0.4 V/µs, 3V 至 30V, SOT-23, 5 引脚低功耗单路运算放大器 LOW-POWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIERSTMICROELECTRONICS  TS321AILT  运算放大器, 单路, 800 kHz, 1个放大器, 0.4 V/µs, 3V 至 30V, SOT-23, 5 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 8 5

封装 SOT-23-5 SOIC-8 SOT-23-5

供电电流 600 µA 600 µA 600 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 0.00 V/K 0.00 V/K -

带宽 800 kHz 800 kHz 800 kHz

转换速率 400 mV/μs 400 mV/μs 400 mV/μs

增益频宽积 800 kHz 800 kHz 0.8 MHz

输入补偿电压 500 µV 500 µV 500 µV

输入偏置电流 20 nA 20 nA 20 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.8 MHz 0.8 MHz 0.8 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

输出电流 40mA @15V - 40mA @15V

针脚数 5 - 5

电源电压 3V ~ 30V - 3V ~ 30V

电源电压(Max) - - 30 V

电源电压(Min) - - 3 V

高度 1.15 mm 1.5 mm 1.3 mm

封装 SOT-23-5 SOIC-8 SOT-23-5

长度 2.9 mm - 3 mm

宽度 1.6 mm - 1.75 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99