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FDD3N40TM、IRFR310PBF、IRLR024TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD3N40TM IRFR310PBF IRLR024TRPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD3N40TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 400 V, 2.8 ohm, 10 V, 5 V功率MOSFET Power MOSFET功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 2.8 Ω 3.6 Ω 100 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 30 W 2.5 W 2.5 W

阈值电压 5 V 4 V -

输入电容 225 pF - -

栅电荷 6.00 nC - -

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 60 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.00 A 1.70 A 14.0 A

上升时间 30 ns 9.90 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 225pF @25V(Vds) 170pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 30 W 2.5 W 2.5 W

下降时间 25 ns - 41 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 30W (Tc) - 2500 mW

额定电压(DC) - 400 V -

额定电流 - 1.70 A -

漏源击穿电压 - 400 V -

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.39 mm - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2000 2000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -