FDD3N40TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD3N40TM中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 2.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 5 V
输入电容 225 pF
栅电荷 6.00 nC
漏源极电压Vds 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 225pF @25VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD3N40TM引脚图与封装图
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在线购买FDD3N40TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD3N40TM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3N40TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 400 V, 2.8 ohm, 10 V, 5 V | 搜索库存 |
替代型号FDD3N40TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD3N40TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 N-Channel 400V 2A 2.8ohms 225pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3N40TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 400 V, 2.8 ohm, 10 V, 5 V | 当前型号 |
| 型号： IRFR310TRPBF 品牌： 威世 封装： D-Pak N-Channel 400V 1.7A 3.6Ω | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | FDD3N40TM和IRFR310TRPBF的区别 |
| 型号： IRLR024TRPBF 品牌： 威世 封装： DPAK N-Channel 60V 14A 100mΩ | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | FDD3N40TM和IRLR024TRPBF的区别 |
| 型号： IRFR310PBF 品牌： 威世 封装： TO-252 N-Channel 400V 1.7A 3.6Ω | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | FDD3N40TM和IRFR310PBF的区别 |