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IRF7103PBF、RF1K49154、IRF7103TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7103PBF RF1K49154 IRF7103TRPBF

描述 INFINEON  IRF7103PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 130 mohm, 10 V, 3 V2A , 60V , 0.130欧姆,双N沟道, LittleFET⑩功率MOSFET 2A, 60V, 0.130 Ohm, Dual N-Channel, LittleFET⑩ Power MOSFETINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7103TRPBF  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Intersil (英特矽尔) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 - SOIC-8

额定功率 2 W - -

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.13 Ω - 130 mΩ

极性 Dual N-Channel - N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W - 2 W

阈值电压 3 V - 3 V

输入电容 290pF @25V - 255pF @25V

漏源极电压(Vds) 50 V - 50 V

漏源击穿电压 50 V - 50 V

连续漏极电流(Ids) 3A - 3.00 A

上升时间 8 ns - 45.0 ns

热阻 62.5℃/W (RθJA) - 50℃/W (RθJA)

输入电容(Ciss) 290pF @25V(Vds) - 290pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W - 2 W

下降时间 25 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W - -

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 3.00 A

产品系列 - - IRF7103

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 - SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Active

包装方式 Tube - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC