IRFL014PBF、IRFL014TRPBF、NTF3055L108T1G对比区别

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型号 IRFL014PBF IRFL014TRPBF NTF3055L108T1G

描述 VISHAY  IRFL014PBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 VVISHAY  IRFL014TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, 10 V, 4 VN 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 4

封装 SOT-223-3 SOT-223-3 TO-261-4

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 2.70 A - 3.00 A

通道数 - - 1

针脚数 3 4 4

漏源极电阻 0.2 Ω 0.2 Ω 0.12 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.1 W 3.1 W 2.1 W

阈值电压 4 V 4 V 1.68 V

输入电容 300pF @25V - 313pF @25V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V - 68 V

栅源击穿电压 - - ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.70 A 2.70 A 3.00 A

上升时间 50 ns 50 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 1.3 W

下降时间 19 ns 19 ns 27 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 3.1 W 1.3W (Ta)

长度 6.7 mm 6.7 mm 6.5 mm

宽度 3.7 mm 3.7 mm 3.5 mm

高度 1.8 mm 1.8 mm 1.57 mm

封装 SOT-223-3 SOT-223-3 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 - - Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99