针脚数 4
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 2.70 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 300pF @25VVds
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223-3
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.8 mm
封装 SOT-223-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFL014TRPBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY IRFL014TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFL014TRPBF 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: SOT-223 N-Channel 60V 2.7A | 当前型号 | VISHAY IRFL014TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 | |
型号: IRFL014PBF 品牌: 威世 封装: SOT-223 N-Channel 60V 2.7A | 功能相似 | VISHAY IRFL014PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V | IRFL014TRPBF和IRFL014PBF的区别 |