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IRFL014TRPBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 2.70 A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 300pF @25VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-3

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.8 mm

封装 SOT-223-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRFL014TRPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFL014TRPBF Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  IRFL014TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号IRFL014TRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFL014TRPBF

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: SOT-223 N-Channel 60V 2.7A

当前型号

VISHAY  IRFL014TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: IRFL014PBF

品牌: 威世

封装: SOT-223 N-Channel 60V 2.7A

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