APT10M07JVFR、IXFN230N10、IXFN150N10对比区别

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型号 APT10M07JVFR IXFN230N10 IXFN150N10

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 225A 4Pin SOT-227IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN230N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 230 A, 100 V, 6 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 100V 150A 4Pin SOT-227B

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Screw Chassis Chassis

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 225 A - 150 A

耗散功率 700 W 700 W 520 W

输入电容 21.6 nF - -

栅电荷 1.05 µC - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 225 A 230 A -

上升时间 60 ns 150 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 18000pF @25V(Vds) 19000pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)

下降时间 20 ns 60 ns 60 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 700000 mW 700W (Tc) 520W (Tc)

额定功率(Max) - 700 W 520 W

通道数 - 1 -

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 - 0.006 Ω -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 4 V -

封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4

长度 - - 38.23 mm

宽度 - 25.42 mm 25.42 mm

高度 - - 9.6 mm

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 -