额定电压DC 100 V
额定电流 225 A
耗散功率 700 W
输入电容 21.6 nF
栅电荷 1.05 µC
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 225 A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 18000pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700000 mW
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 SOT-227
封装 SOT-227
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APT10M07JVFR | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 100V 225A 4Pin SOT-227 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: APT10M07JVFR 品牌: Microsemi 美高森美 封装: SOT-227 100V 225A 21.6nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 225A 4Pin SOT-227 | 当前型号 | |
型号: STE250NS10 品牌: 意法半导体 封装: ISOTOP N-Channel 100V 220A 5.5mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STE250NS10 晶体管, MOSFET, N沟道, 125 A, 100 V, 0.0045 ohm, 10 V, 3 V | APT10M07JVFR和STE250NS10的区别 | |
型号: IXFN180N10 品牌: IXYS Semiconductor 封装: ISOTOP N-Channel 100V 180A | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN180N10 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 180 A, 100 V, 8 mohm, 10 V, 4 V | APT10M07JVFR和IXFN180N10的区别 | |
型号: IXFN230N10 品牌: IXYS Semiconductor 封装: ISOTOP N-Channel 100V 230A | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN230N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 230 A, 100 V, 6 mohm, 10 V, 4 V | APT10M07JVFR和IXFN230N10的区别 |