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IRFF120、JANTXV2N6788、JANTX2N6796对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFF120 JANTXV2N6788 JANTX2N6796

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3Pin TO-39Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3Pin TO-39Trans MOSFET N-CH 100V 8A 3Pin TO-39

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 TO-205 TO-205 TO-39

耗散功率 - 20000 mW 25000 mW

漏源极电压(Vds) - - 100 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 20000 mW 20000 mW 25000 mW

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) -

上升时间 70 ns - -

下降时间 70 ns - -

封装 TO-205 TO-205 TO-39

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -