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JANTXV2N6788

JANTXV2N6788

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
JANTXV2N6788中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 20000 mW

输入电容Ciss 350pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-205

外形尺寸

封装 TO-205

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

JANTXV2N6788引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N6788
型号 制造商 描述 购买
JANTXV2N6788 Infineon 英飞凌 Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3Pin TO-39 搜索库存
替代型号JANTXV2N6788
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: JANTXV2N6788

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3Pin TO-39

当前型号

型号: IRFF120

品牌: 英飞凌

封装:

完全替代

Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3Pin TO-39

JANTXV2N6788和IRFF120的区别

型号: 2N6782

品牌: 英飞凌

封装: TO-205AF

类似代替

INFINEON  2N6782  场效应管, MOSFET, N

JANTXV2N6788和2N6782的区别

型号: IRFF130

品牌: 英飞凌

封装: TO-205AD

类似代替

INFINEON  IRFF130  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 100 V, 180 mohm, 10 V, 4 V

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