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IRLMS2002GTRPBF、IRLMS2002TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLMS2002GTRPBF IRLMS2002TRPBF

描述 TSOP N-CH 20V 6.5AINFINEON  IRLMS2002TRPBF.  场效应管, MOSFET, N沟道, 2W, 6-TSOP

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-23-6 SOT-23-6

额定功率 - 2 W

通道数 - 1

针脚数 - 6

漏源极电阻 - 30 mΩ

极性 N-CH N-CH

耗散功率 2W (Ta) 2 W

阈值电压 - 1.2 V

输入电容 - 1310 pF

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

漏源击穿电压 - 20 V

连续漏极电流(Ids) 6.5A 6.5A

上升时间 11 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 1310pF @15V(Vds) 1310pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 2 W

下降时间 16 ns 16 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2W (Ta) 2W (Ta)

长度 - 3 mm

宽度 - 1.75 mm

高度 - 1.3 mm

封装 SOT-23-6 SOT-23-6

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free