IRLMS2002GTRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRLMS2002GTRPBF中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2W Ta
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 6.5A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1310pF @15VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-6
外形尺寸
封装 SOT-23-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRLMS2002GTRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRLMS2002GTRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRLMS2002GTRPBF | Infineon 英飞凌 | TSOP N-CH 20V 6.5A | 搜索库存 |
替代型号IRLMS2002GTRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRLMS2002GTRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TSOP N-CH 20V 6.5A | 当前型号 | TSOP N-CH 20V 6.5A | 当前型号 |
| 型号： IRLMS2002TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 20V 6.5A | 类似代替 | INFINEON IRLMS2002TRPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道, 2W, 6-TSOP | IRLMS2002GTRPBF和IRLMS2002TRPBF的区别 |