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DRV5013ADQLPGMQ1、DRV5013ADQLPGQ1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DRV5013ADQLPGMQ1 DRV5013ADQLPGQ1

描述 汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 3-TO-92 -40 to 125板机接口霍耳效应/磁性传感器 Auto Digital-Latch Hall Effect Sensor

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 地磁传感器地磁传感器

基础参数对比

引脚数 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3

安装方式 Through Hole -

输出电压 - 38 V

输出电流(Max) 30 mA 30 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 38V 2.7V ~ 38V

电源电压(Max) - 38 V

电源电压(Min) - 2.7 V

高度 - 3.25 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Box (TB) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -