MRF7S19120NR1、MRF8S21200HSR6、MRF7S19170HSR3对比区别

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型号 MRF7S19120NR1 MRF8S21200HSR6 MRF7S19170HSR3

描述 Trans RF MOSFET N-CH 65V 5Pin TO-270W T/RW-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 48W Avg., 28VSingle W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1930-1990MHz, 50W Avg., 28V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 5 3

封装 TO-270 NI-1230S NI-880S

频率 1.99 GHz 2.14 GHz 1.99 GHz

额定电流 10 µA - 10 µA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

输出功率 36 W 48 W 50 W

增益 18 dB 18.1 dB 17.2 dB

测试电流 1.2 A 1.4 A 1.4 A

输入电容(Ciss) 1.03pF @28V(Vds) - -

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 65 V 65 V 65 V

漏源极电压(Vds) - - 65 V

高度 3.23 mm 5.08 mm -

封装 TO-270 NI-1230S NI-880S

工作温度 -65℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 225℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 - - EAR99