MRF8S21200HSR6
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
MRF8S21200HSR6中文资料参数规格
技术参数
频率 2.14 GHz
无卤素状态 Halogen Free
输出功率 48 W
增益 18.1 dB
测试电流 1.4 A
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 65 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 NI-1230S
外形尺寸
高度 5.08 mm
封装 NI-1230S
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 225℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
MRF8S21200HSR6引脚图与封装图
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在线购买MRF8S21200HSR6
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MRF8S21200HSR6 | NXP 恩智浦 | W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 48W Avg., 28V | 搜索库存 |
替代型号MRF8S21200HSR6
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MRF8S21200HSR6 品牌： NXP 恩智浦 封装： NI-1230S | 当前型号 | W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 48W Avg., 28V | 当前型号 |
| 型号： MRF7S19120NR1 品牌： 恩智浦 封装： TO-270AB | 功能相似 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 5Pin TO-270W T/R | MRF8S21200HSR6和MRF7S19120NR1的区别 |
| 型号： MRF7S19170HSR3 品牌： 恩智浦 封装： NI-880S | 功能相似 | Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1930-1990MHz, 50W Avg., 28V | MRF8S21200HSR6和MRF7S19170HSR3的区别 |