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MMDF2P02HD、MMDF2P02HDR2G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMDF2P02HD MMDF2P02HDR2G

描述 功率MOSFET 2安培, 20伏P沟道SO- 8 ,双 Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8, Dual2A,-20V,P沟道功率双MOSFET

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8

封装 SOIC SOIC-8

额定电压(DC) - -20.0 V

额定电流 - -2.00 A

漏源极电阻 - 160 mΩ

极性 P-CH Dual P-Channel

耗散功率 - 2 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

漏源击穿电压 - 20.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.3A 3.30 A

输入电容(Ciss) - 588pF @16V(Vds)

额定功率(Max) - 2 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2 W

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.5 mm

封装 SOIC SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99