MMBT2907A-TP、SMMBT2907ALT3G、MMBT2907ALT1G对比区别
型号 MMBT2907A-TP SMMBT2907ALT3G MMBT2907ALT1G
描述 三极管NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR MMBT2907ALT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFE
数据手册 ---
制造商 Micro Commercial Components (美微科) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 200 MHz 200 MHz 200 MHz
额定电压(DC) -60.0 V - -60.0 V
额定电流 -600 mA - -600 mA
额定功率 - - 300 mW
针脚数 - 3 3
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 0.35 W 0.35 W 225 mW
输入电容 - - 30 pF
上升时间 - - 40 ns
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 50 100 @150mA, 10V
额定功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW
直流电流增益(hFE) - 50 200
下降时间 - - 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW 225 mW 300 mW
增益频宽积 200 MHz - -
最大电流放大倍数(hFE) - 300 -
长度 - 3.04 mm 3.04 mm
宽度 - 2.64 mm 1.3 mm
高度 - 1.11 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR