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BD679AG、BD679ASTU、BD679AS对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD679AG BD679ASTU BD679AS

描述 NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管复合 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

耗散功率 40 W 40000 mW 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 750 @2A, 3V 750 @2A, 3V

额定功率(Max) 40 W 40 W 40 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW 40 W 40000 mW

额定电压(DC) 80.0 V - 80.0 V

额定电流 4.00 A - 4.00 A

极性 NPN - NPN

集电极最大允许电流 4A - 4A

直流电流增益(hFE) 750 - 750

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 - -

长度 7.74 mm 8 mm 8 mm

宽度 2.66 mm 3.25 mm 3.25 mm

高度 11.04 mm 11 mm 11.2 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)