IRF3205STRLPBF、STB80NF55-08T4、STB150NF55T4对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRF3205STRLPBF STB80NF55-08T4 STB150NF55T4

描述 N沟道,55V,110A,8mΩ@10VSTMICROELECTRONICS  STB80NF55-08T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 16 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STB150NF55T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V 55.0 V

额定电流 110 A 80.0 A 120 A

通道数 - - 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.008 Ω 5 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 300 W 300 W

阈值电压 - 3 V 4 V

输入电容 3.25 nF - 4400 pF

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 - 55.0 V 55 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 110 A 80.0 A 60.0 A

上升时间 101 ns 110 ns 180 ns

输入电容(Ciss) 3247pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 W 300 W 300 W

下降时间 - 35 ns 80 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 300W (Tc) 300W (Tc)

产品系列 IRF3205S - -

栅电荷 146 nC - -

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 9.35 mm 9.35 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 EAR99