额定电压DC 55.0 V
额定电流 110 A
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
产品系列 IRF3205S
输入电容 3.25 nF
栅电荷 146 nC
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 110 A
上升时间 101 ns
输入电容Ciss 3247pF @25VVds
额定功率Max 200 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF3205STRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | N沟道,55V,110A,8mΩ@10V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF3205STRLPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-252-3 N-Channel 55V 110A 3.25nF | 当前型号 | N沟道,55V,110A,8mΩ@10V | 当前型号 | |
型号: STB60NF06LT4 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 60V 60A 14mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V | IRF3205STRLPBF和STB60NF06LT4的区别 | |
型号: STB140NF55T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252-3 N-Channel 55V 80A 8mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB140NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V | IRF3205STRLPBF和STB140NF55T4的区别 | |
型号: STB150NF55T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252-3 N-Channel 55V 60A 6mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB150NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 V | IRF3205STRLPBF和STB150NF55T4的区别 |