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DMG5802LFX-7、RN73R2BTTD1763D50对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMG5802LFX-7 RN73R2BTTD1763D50

描述 集成电路RES 176K OHM 0.5% 1/4W 1206

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) KOA Speer

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

引脚数 6 -

封装 WDFN5020-6 1206

通道数 2 -

极性 N-CH -

耗散功率 0.98 W -

阈值电压 600 mV, 600 mV -

输入电容 1066.4 pF -

漏源极电压(Vds) 24 V -

连续漏极电流(Ids) 6.5A -

上升时间 13.43 ns -

输入电容(Ciss) 1066.4pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 980 mW -

下降时间 22.45 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 980 mW -

容差 - ±0.5 %

额定功率 - 0.25 W

电阻 - 176 kΩ

长度 2.1 mm -

封装 WDFN5020-6 1206

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 155℃

温度系数 - ±50 ppm/℃

产品生命周期 Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC -