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DMG5802LFX-7

DMG5802LFX-7

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

集成电路

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 24V 6.5A 980mW 表面贴装型


立创商城:
2个N沟道 24V 6.5A


得捷:
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN


贸泽:
MOSFET Dual N-Ch 24V Mosfet 0.98W PD


艾睿:
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Diodes Zetex&s;s DMG5802LFX-7 power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 980 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
Dual N-Ch Enhancement Mode MOSFET DFN6


安富利:
Trans MOSFET N-CH 24V 6.5A 6-Pin DFN EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 24V 6.5A Automotive 6-Pin DFN EP T/R


Win Source:
MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN


DeviceMart:
MOSFET N-CH DUAL 24V DFN5020-6


DMG5802LFX-7中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

极性 N-CH

耗散功率 0.98 W

阈值电压 600 mV, 600 mV

输入电容 1066.4 pF

漏源极电压Vds 24 V

连续漏极电流Ids 6.5A

上升时间 13.43 ns

输入电容Ciss 1066.4pF @15VVds

额定功率Max 980 mW

下降时间 22.45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 980 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WDFN5020-6

外形尺寸

长度 2.1 mm

封装 WDFN5020-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

DMG5802LFX-7引脚图与封装图
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