STP3N150、STW3N150对比区别

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型号 STP3N150 STW3N150

描述 STMICROELECTRONICS  STP3N150  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1.5 kV, 6 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STW3N150  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 1.5 kV, 6 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-247-3

通道数 - 1

针脚数 3 3

漏源极电阻 6 Ω 6 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 140 W 140 W

阈值电压 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 1500 V 1500 V

漏源击穿电压 - 1500 V

连续漏极电流(Ids) 2.50 A 1.30 A

上升时间 47 ns 47 ns

输入电容(Ciss) 939pF @25V(Vds) 939pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 140 W

下降时间 61 ns 61 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 50 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc)

输入电容 939 pF -

长度 10.4 mm 15.75 mm

宽度 4.6 mm 5.15 mm

高度 15.75 mm 20.15 mm

封装 TO-220-3 TO-247-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99