BC846BLT1、BC846BLT1G对比区别
描述 通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistors(NPN Silicon)ON SEMICONDUCTOR BC846BLT1G. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 290 hFE
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) 65.0 V 65.0 V
额定电流 100 mA 100 mA
极性 N-Channel NPN
耗散功率 300 mW 300 mW
击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V
额定功率(Max) 300 mW 225 mW
频率 - 100 MHz
额定功率 - 300 mW
无卤素状态 - Halogen Free
针脚数 - 3
增益频宽积 - 100 MHz
最大电流放大倍数(hFE) - 450
直流电流增益(hFE) - 200
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 - 2.9 mm
宽度 - 1.3 mm
高度 - 0.94 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 - Silicon
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99