锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRF7303QTRPBF、IRF7303TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7303QTRPBF IRF7303TRPBF

描述 SOIC N-CH 30V 4.9AINFINEON  IRF7303TRPBF.  场效应管, MOSFET

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 2 W

针脚数 - 8

漏源极电阻 80 mΩ 0.05 Ω

极性 N-CH N-CH

耗散功率 2 W 2 W

阈值电压 - 1 V

输入电容 - 520 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 4.9A 4.9A

上升时间 21 ns 21 ns

输入电容(Ciss) 520pF @25V(Vds) 520pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W

下降时间 7.7 ns 7.7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W 2 W

通道数 2 -

漏源击穿电压 30 V -

长度 4.9 mm 5 mm

宽度 3.9 mm 4 mm

高度 1.75 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17