IRF7303QTRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF7303QTRPBF中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
漏源极电阻 80 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 4.9A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 520pF @25VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 7.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF7303QTRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF7303QTRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7303QTRPBF | Infineon 英飞凌 | SOIC N-CH 30V 4.9A | 搜索库存 |
替代型号IRF7303QTRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7303QTRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-SOIC N-CH 30V 4.9A | 当前型号 | SOIC N-CH 30V 4.9A | 当前型号 |
| 型号： IRF7303TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 30V 4.9A | 类似代替 | INFINEON IRF7303TRPBF. 场效应管, MOSFET | IRF7303QTRPBF和IRF7303TRPBF的区别 |