CM50DY-24H、MG50Q2YS40、BSM50GB120DN2对比区别

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型号 CM50DY-24H MG50Q2YS40 BSM50GB120DN2

描述 IGBT MOD DUAL 1200V 50A H SERN CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)IGBT 模块，Infineon**Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

数据手册 ---

制造商 Powerex Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Chassis - Screw

封装 Module - 34MM-1

引脚数 - - 7

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 400 W - 400 W

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - -

输入电容(Cies) 10nF @10V - -

额定功率(Max) 400 W - -

上升时间 - - 100 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

耗散功率(Max) - - 400 W

封装 Module - 34MM-1

长度 - - 94 mm

宽度 - - 34 mm

高度 - - 30.5 mm

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Design

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 - - -40℃ ~ 150℃